2026 年 4 月，中国芯片产业在先 进制程、前 沿材料、高速光芯片、车规芯片等关键领域接连实现突破，全链条自主化步伐加快，多项成果达到国际水平，为后摩尔时代产业升级奠定坚实基础。
先 进制程方面，中芯国际 N+2 工艺稳定量产，在 DUV 多重曝光技术路线上实现接近 7nm的性能指标，良率控制优，已支撑国产 AI 芯片、高 端 MCU 与移动终端芯片规模化落地。该路线在无 EUV 条件下实现能效与密度跃升，保障供应链安全。
前 沿材料领域迎来突破。国防科技大学与中科院金属所联合团队，全球首 次实现高性能 P 型二维半导体氮化钨硅（WSi₂N₄）晶圆级可控生长，填补 P 型二维半导体空白，可直接支撑亚 5nm 节点制造，为突破物理极限提供全新材料方案。上海首条二维半导体工程化验证工艺线顺利点亮，“原子级造芯” 从实验室走向产业化。
高速光芯片实现全链自主可控。国内企业依托 IDM 垂直整合，攻克高速激光器芯片设计、外延、晶圆制造与封测核心工艺，200G EML 芯片进入批量供货阶段，西咸二期项目将于四季度试产，新增年产能30 万片高速光芯片，订单饱满，同步推进国际头 部客户认证，国产高速光芯片正式进入全球供应链。
车规芯片与 AI 算力同步突破。国内首 颗车规级 5nm 多域融合芯片研制成功，覆盖智能座舱、智驾与整车控制，打破高 端车规芯片长期垄断。RISC-V 生态持续壮大，中科院发布 “香山” 开源高性能处理器与 “如意” 原生操作系统，面向全球开源，构建开放芯片生态底座。
海关数据显示，2026 年前两个月我国芯片出口额同比大增73%，出口单价提升近50%，标志着国产芯片从 “以量取胜” 转向高质高值。政策端，五部门联合发布集成电路与软件企业税收优惠，覆盖设计、制造、封测、设备、材料全产业链，为产业长期发展注入确定性。
